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窒化物半導体は、青色や白色のLED、青紫色半導体レーザなどに用いられ、高信頼・低環境負荷の光デバイス材料として既に確固たる地位を築いていますが、近年の結晶成長・評価技術の進歩や光物性の理解により、波長範囲の拡大や太陽電池への応用など、さらなる展開が期待されております。
今回も、昨年に引き続き、「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携企画」による研究例会として、応用電子物性分科会では窒化物半導体の光物性と光デバイス応用を中心に、結晶工学分科会では基板・エピ成長と評価技術を中心に構成し、連続した日程で開催します。
（http://annex.jsap.or.jp/support/division/ohden/）
演題:
(1) 「【基調講演】 窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦
-光物性の理解と制御によるアプローチ-」
川上 養一 （京都大学）
(2)「GaN系薄膜における励起子非弾性散乱過程による発光と誘導放出」
中山 正昭 （大阪市立大学）
(3) 「MOVPE成長におけるIn組成制御と全可視域InGaN系LEDの実現」
大川 和宏，出浦 桃子 （東京理科大学）
(4)「窒化ガリウム基板を用いた高効率・高演色白色LEDの開発」
下山 謙司 （三菱化学）
(5)「0mW超級AlGaN系DUVLEDの商業化と今後の課題」
一本松 正道 （創光科学）
(6)「InGaN系LEDの長波長化への挑戦 ‐赤色～赤外域発光‐」
岸野 克巳 （上智大学）
(7)「窒化物半導体高効率太陽電池への挑戦 -SMART太陽電池の提案-」
吉川 明彦 （千葉大学）
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