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                   社団法人 日本物理学会
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42回 薄膜・表面物理基礎講座 (2013)

「薄膜の成長過程の解明と制御:薄膜のナノ構造を自由に制御するために」

 主催

 

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会

 共催、協賛

 

 日本物理学会、他18学協会協賛

 開催期日

 

20131125()

 開催場所

 

 東工大蔵前会館ロイアルブルーホール
(東京都目黒区大岡山2-12-1,℡03-5734-3737,東急大井町線・目黒線 大岡山駅下車 徒歩1分)
http://www.somuka.titech.ac.jp/ttf/access/
  (アクセスマップ)

 内容

 

薄膜プロセスは,LSIからパワーエレクトロニクスまで,ナノ構造を制御して高性能・高機能デバイスを作製する際の要であり,電子物性やデバイス応用にあわせてさまざまな手法が用いられております.しかしながら,昨今開発スピードが重視され,創製やその評価にかかわる研究に重点がおかれ,薄膜プロセスのメカニズムの解明やその知見を元にした制御手法の研究についてはやや手薄になっている感があります.そこで,薄膜の成長過程の解明を切り口に成膜プロセスの制御について,横断的かつ系統的に議論を深めることで,基礎から応用まで,また,無機材料から半導体まで,成膜メカニズム解明における種々の知見から見い出される新たな制御手法やアイディアの創出をはかり,ひいては,薄膜開発のスピドアップや新規薄膜の開発に資するべく,今回企画しました.

【プログラム】
①薄膜作製展望:成膜過程における核生成過程の解明と制御の展開/総論  矢口裕之(埼玉大学)

②3次元ナノ構造作製とその物性解析  田中秀和(大阪大学)

ITO膜の成長メカニズムの解明やその制御  重里有三(青学大学)

④量子ドットの創製プロセスの解明とその制御  荒川泰彦(東京大学)

⑤ナノカーボン(グラフェン、カーボンナノチューブ)の成長機構とその制御  吾郷浩樹(九州大学)

SiCのエピタキシャル成長機構と欠陥低減化技術  土田秀一(電力中研)

 

参加費

 

薄膜・表面物理分科会会員10,000

応物会員・協賛学協会会員15,000

学生:3,000

その他:20,000

参加申込方法

 

下記分科会ホームページ内の登録フォームにて参加登録してください.

https://annex.jsap.or.jp/phpESP/public/survey.php?name=HakuhyouKisokouza42 

参加登録完了後,ご連絡いただいた期日までに,下記銀行口座に参加費をお振込みください.原則として参加費の払い戻し,請求書の発行は致しません.領収書は当日会場にてお渡し致します.

 

参加申込締切:20131111()

 

【参加費振込先】

三井住友銀行 本店営業部(本店でも可)

普通預金 口座番号 9474715

(公社) 応用物理学会薄膜・表面物理分科会

(シャ) オウヨウブツリガッカイハクマク・ヒョウメンブツリブンカカイ

参加費振込期限: 20131118()

 

連絡先

 

【企画に関する問合せ先】

物質・材料研究機構 土佐 正弘

Tel: 029-851-3354 ex.6532 Fax: 029-859-2501

E-mail: tosa.masahiro@nims.go.jp

金沢大学 徳田 規夫

Tel: 076-234-4875  Fax: 076-234-4870

E-mail: tokuda@ec.t.kanazawa-u.ac.jp

【参加登録に関する問い合わせ先】

応用物理学会事務局 分科会担当 上村さつき

TEL:03-5802-0863 FAX:03-5802-6250

E-Mail: kamimura@jsap.or.jp

 その他

 

 


  

 



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