相対論的高強度のレーザー光を物質に照射すると、物質は電離し高エネルギー密度のプラズマとなる。照射面は10億気圧に至る高い光圧で押し込まれ、光による相対論的電子加速と高温プラズマ加熱が同時進行する。このような極限的な条件下で生じる現象を解明することがプラズマ物理の重要課題となる。
　岩田 夏弥氏は、高強度レーザー光が作り出す高エネルギー密度プラズマのダイナミクスに関する理論的研究に取り組んできた。まず、プラズマがピコ秒スケールで光照射面に強電場を作り出し光圧による押し込みを止めることを提唱し、光照射が続けば加熱されたプラズマが噴出し強い粒子加速が起こることを明らかにした。さらに、継続的な光照射下でプラズマの振る舞いが揺動電磁場によるランダム散乱に支配される統計的領域へと遷移していくことに着目し、統計的散乱を受ける電子エネルギーの時間発展とそれを受けたプラズマ膨張の理論を提唱した。特に、揺動電磁場との相互作用に起因して電子のダイナミクスが弾道的なものから拡散的なものに変わることで、電子の飛散が抑制され高エネルギー密度プラズマの閉じ込めに繋がることを明らかにした。より最近の研究では、実験データをベイズ推定に基づき多変量解析する統計的手法を提案し、これを用いて高強度レーザーによるイオン加速のスケーリング則を提示するなど、データ解析手法開発でも成果を挙げている。
　以上のことから、岩田氏は米沢富美子記念賞にふさわしい顕著な功績があると考える。

　高瀬氏は、グラフェンやIII-V属半導体ナノワイヤなど半導体材料における量子効果素子の量子物性の解明を実験および理論計算の両面から行ってきた。グラフェン研究においてはウェハ・スケールのグラフェンをシリコンカーバイド（SiC）基板上にエピタキシャル成長することに成功し、高品質SiC上グラフェン電界効果トランジスタ（FET）を実現した。この素子に対する量子輸送測定と、理論モデルの構築により、エピタキシャルグラフェンの量子物性解明に貢献した。その後、高瀬氏は、MOVPE(有機金属化学気相成長)法によるナノワイヤ成長の材料研究者と協働し、InAsやInSbなどIII-V属半導体ナノワイヤを用いたFET作製に成功した。これらの半導体は、スピン軌道相互作用が大きいことから、電荷ではなくスピンでトランジスタのON/OFFを制御するスピントロニクス分野への応用が期待されているものである。高瀬氏らの作製したFETは、低温・強磁場などの極限環境下での詳細な測定や理論計算との比較から、大きいスピン軌道相互作用を低ゲート電圧で制御可能であることが明らかになっており、FETの将来の省エネルギー化に繋がることが期待される。
　このように高瀬氏は継続的で活発な研究活動を行っており、各種賞の受賞に加えて、アウトリーチ活動においても、若手女性研究者のロールモデルとなる活躍が認められ、米沢富美子記念賞の授与に相応しい。